RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
84
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
84
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
1574
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link