RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
22.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
3938
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link