RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2627
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link