RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
3366
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link