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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2297
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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