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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2648
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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