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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Puntuación global
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2097
3343
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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