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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Puntuación global
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2097
2609
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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