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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
71
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2097
1902
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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