RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2097
2361
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link