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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2920
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
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