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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
3364
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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