RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2213
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link