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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2288
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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