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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
3671
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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