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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2619
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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