RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
30
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
18
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3019
3607
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link