RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
45
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3019
1499
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link