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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
30
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
19
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3019
3169
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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