RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
43
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2501
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link