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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2689
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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