A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
star star star star star
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 56
    En -93% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 1,925.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,315.2 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,925.7 left arrow 9.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    658 left arrow 2443
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones