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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
56
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2468
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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