RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
56
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2865
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link