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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
56
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
3156
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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