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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3250
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
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