RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2731
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link