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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
52
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3819
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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