RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
52
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3206
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link