RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
52
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3929
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link