RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
52
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1499
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link