RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
52
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2680
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link