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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
52
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2782
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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