RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
52
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3040
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link