RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3007
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link