RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
52
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3030
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link