RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1989
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link