RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
52
En -189% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
18
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3536
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link