RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
71
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
71
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1863
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link