RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
66
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3729
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link