RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
74
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
74
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
1774
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link