RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
66
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
4065
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link