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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
66
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2601
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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