RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2902
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link