RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
66
En -247% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3801
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link