RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
66
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3074
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link