RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
66
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
52
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2169
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link