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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
66
En -154% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2880
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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