RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
66
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3182
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link