RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
66
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2919
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link